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J-GLOBAL ID：200903070241244699

レジストパターンの形成方法

Inventor： 柴田 剛 ,  塩原 英志 ,  池田 隆洋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152579
Publication number (International publication number)：1993341536
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 良好な形状のレジストパターンが得られる、化学増幅型レジストを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 レジスト膜表面あるいはレジスト膜と基板の界面付近の塩基性物質を除去するため、基板表面、あるいはレジスト膜表面に酸処理、プロトン照射処理、塩基性試薬処理等を施す。【効果】 酸性物質との中和作用等により塩基性物質が除去され、化学増幅型レジスト中の酸発生剤から発生されるH+ の死活を防ぐことができ、その結果、良好な形状のレジストパターンが得られる。

Claim (excerpt)：

基体上に光酸発生剤を含むレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜表面に酸処理を施す工程と、このレジスト膜を選択的に露光する工程と、このレジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027