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J-GLOBAL ID：200903070246922733

半導体薄膜の製造方法

Inventor： 長瀬 智美 ,  大家 利彦 ,  榊原 実雄
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院四国工業技術研究所長 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999080504
Publication number (International publication number)：2000277537
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ゾル-ゲル法又はスプレー熱分解法により形成された前駆体から、簡単な手段で、しかも元素の添加を行うことなく、光学的、電気的物性が制御された半導体薄膜を製造することを目的とする。【解決手段】 基板上に遷移金属カルコゲニド含有ゲル薄膜を形成させたのち、これに活性線を照射して半導体薄膜を製造するに当り、前記遷移金属カルコゲニドのバンドギャップよりも高いエネルギーを有する活性線を照射して電子励起させること、及びこの際活性線のエネルギー密度を変えて、生成する半導体薄膜の光学的、電気的物性を制御することにより製造する。

Claim (excerpt)：

基板上に遷移金属カルコゲニド含有ゲル薄膜を形成させたのち、これに活性線を照射して半導体薄膜を製造するに当り、前記遷移金属カルコゲニドのバンドギャップよりも高いエネルギーを有する活性線を照射して電子励起させること、及びこの際活性線のエネルギー密度を変えて、生成する半導体薄膜の光学的、電気的物性を制御することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/36 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/36 ,  H01L 21/20

F-Term (5)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BB07 ,  5F052DA10 ,  5F052DB10