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J-GLOBAL ID：200903070255299933

半導体装置及びその製造方法

Inventor： ヨハネス アントニウス デ ポールテル ,  アドリアン フアルステル
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992125080
Publication number (International publication number)：1993152682
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】メサ構造の半導体装置の改良。【構成】半導体基板1上に平行な半導体層から成る半導体層構造体D3を形成し、この層構造体に第1の部分だけから成るメサ12を形成する。半導体層構造体D3は基板1側にへこんだくぼみ領域11を有し、メサ12はくぼみ領域内に形成する。この結果、メサは保護されることになる。しかも、へき開処理中にメサ12の近傍に損傷が生ずるのを防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を有する半導体本体を具え、半導体基板上に互いにほぼ平行な半導体層から成る半導体層構造体が形成され、この半導体層構造体の表面に、この半導体層構造体の第1の部分だけを有するメサが形成され、半導体層構造体のメサを構成しない第1の部分がメサの両側にメサよりも下側に位置する半導体装置において、前記半導体層構造体がくぼみ領域を有し、このくぼみ領域内において半導体層構造体が少なくとも部分的に半導体基板側にくぼみ、このくぼみ領域内に前記メサが位置することを特徴とする半導体装置。