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J-GLOBAL ID：200903070255991306

シリコンウェーハのHF洗浄方法

Inventor： 中野 正己 ,  内山 勇雄 ,  高松 広行 ,  鈴木 盛江
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994105116
Publication number (International publication number)：1995312357
Application date： May. 19, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 パーティクル汚染を低減した新規なシリコンウェーハのHF洗浄方法を提供する。【構成】 HF槽及びその後洗浄用の純水槽を用いてシリコンウェーハのHF洗浄を行うにあたり、上記HF槽及び純水槽でのシリコンウェーハの出し入れ速度を1〜50mm/secとし、かつ該HF槽及び純水槽での液面の上下動の振幅を4mm以下とする。

Claim (excerpt)：

HF槽及びその水洗用の純水槽を用いてシリコンウェーハのHF洗浄を行なうにあたり、上記HF槽及び純水槽でのシリコンウェーハの出し入れ速度を1〜50mm/secとし、かつ該HF槽及び純水槽での液面の上下動の振幅を4mm以下とすることを特徴とするシリコンウェーハのHF洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/08