Pat

J-GLOBAL ID：200903070268359927

シリコンステンシルマスクの製造方法

Inventor： 片倉 則浩
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997064491
Publication number (International publication number)：1998260523
Application date： Mar. 18, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコンステンシルマスクの製造の過程で破壊等の問題が生じないシリコンステンシルマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 ボロンドープ層が形成されたシリコン基板を用意する工程と、前記ボロンドープ層の途中までパターンを形成する工程と、前記パターンが形成されたシリコン基板全体に窒化珪素膜を成膜するとともに、前記パターン領域に対応する反対面位置の窒化珪素膜に開口をそれぞれ形成する工程と、前記窒化珪素膜をマスクとして、前記シリコン基板のシリコン部分をウエットエッチング法により前記ボロンドープ層までエッチングして凹部を形成する工程と、前記窒化珪素膜を除去後、前記シリコン部分をエッチングした方向と同一方向から、再び前記ボロンドープ層をドライエッチングして前記ボロンドープ層に形成されたパターンを貫通させる工程と、を備えたシリコンステンシルマスクの製造方法。

Claim (excerpt)：

ボロンドープ層が形成されたシリコン基板を用意する工程と、前記ボロンドープ層の途中までパターンを形成する工程と、前記パターンが形成されたシリコン基板全体に窒化珪素膜を成膜するとともに、前記パターン領域に対応する反対面位置の窒化珪素膜に開口をそれぞれ形成する工程と、前記窒化珪素膜をマスクとして、前記シリコン基板のシリコン部分をウエットエッチング法により前記ボロンドープ層までエッチングして凹部を形成する工程と、前記窒化珪素膜を除去後、前記シリコン部分をエッチングした方向と同一方向から、再び前記ボロンドープ層をドライエッチングして前記ボロンドープ層に形成されたパターンを貫通させる工程と、を備えたシリコンステンシルマスクの製造方法。

IPC (3)：

G03F 1/16 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (4)：

G03F 1/16 B ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/306 B