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J-GLOBAL ID:200903070274460788

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 奥山 尚一 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002012410
Publication number (International publication number):2002303986
Application date: Jan. 22, 2002
Publication date: Oct. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高感度かつ高解像性と十分なPED安定性を併せ持つPED安定化剤を含有するレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チオール誘導体、ジスルフィド誘導体、チオールスルホナート誘導体から選ばれる少なくとも一種類を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。このレジスト材料は、溶解制御剤及び/又は界面活性剤を含有してもよい。上記レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法も提供する。
Claim (excerpt):
(A)有機溶剤、(B)波長193nmの透過率が30%/μm以上である、酸不安定基で保護されたアルカリ不溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂であって、該酸不安定基が解離したときにアルカリ可溶性となる-(CO)-O-(CO)k-基(式中、kは0または1を示す。)を有する脂環式構造からなる樹脂、(C)酸発生剤、(D)塩基性化合物、(E)チオール誘導体、ジスルフィド誘導体、チオールスルホナート誘導体から選ばれる少なくとも一種類を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (6):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/12 ,  C08F 32/02 ,  C08G 61/00 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027
FI (6):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/12 ,  C08F 32/02 ,  C08G 61/00 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (40):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J032CA32 ,  4J032CA33 ,  4J032CA34 ,  4J032CA68 ,  4J032CG00 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA05P ,  4J100BA10P ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

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