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J-GLOBAL ID：200903070278941519

ITOスパッタリングターゲット

Inventor： 江島 光一郎 ,  大瀧 光信 ,  横川 敏雄 ,  浦野 広明 ,  天羽 隆一
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148720
Publication number (International publication number)：1995145478
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 優れた耐黒化性を有すると共に、スパッタ時における異常放電やプラズマダメージを低減し、安定して低比抵抗のITO膜を形成することができるITOスパッタリングターゲットの提供。【構成】 酸化インジウム粉90重量%と、酸化錫粉10重量%とを混合した混合粉を出発原料とし、従来より一般的に用いられている製造方法により、相対密度が88%、および平均結晶粒径が7μmであり、粒径5μmのSnリッチ相が焼結体中に均一に分散存在しているITO焼結体からなる4inchφ×6mmのITOスパッタリングターゲットを製造し、ITO膜の成膜を行う。【効果】 基板温度 200°Cで得たITO膜は、その比抵抗が 2.6×10-4Ωcmであり、ターゲット寿命に対して70%使用時においてもターゲット表面黒化および異常放電は認められない。

Claim (excerpt)：

透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるITO焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体の相対密度が85%以上、および結晶粒径が15μm以下であり、かつこの焼結体中に存在するSnリッチ相が10μm以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ITO焼結体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186904   Applicant：住友金属鉱山株式会社, 住友石炭鉱業株式会社
• 特開平4-317455