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J-GLOBAL ID：200903070283150716

半導体レーザの光量制御方法及び半導体レーザ装置

Inventor： 布施 政雄 ,  尾川 和城
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 久保 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992144711
Publication number (International publication number)：1993343774
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は半導体レーザの光量制御方法及び半導体レーザ装置に関し、半導体レーザ素子が劣化した場合であっても、その出力光量を一定に保持して性能及び安全性を維持することを目的とする。【構成】レーザビームを出力する半導体レーザ素子11と、レーザビームLBfを整形するためのビーム整形用レンズ21と、ビーム整形用レンズ21の後方に配置され、レーザビームの主要部を通過させるための開口部23を有した遮光板22と、ビーム整形用レンズ21の後方に配置され、開口部23を通過しないレーザビームを受光してその受光量に応じた検出信号を出力する光電変換素子12と、光電変換素子12の検出信号に基づいて半導体レーザ素子11の光量を一定に保持するように制御を行う制御部13とを有して構成される。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子(11)から出力されるレーザビーム(LBf)の光量を制御するための方法であって、前記レーザ素子(11)をビーム整形用レンズ(21)(31)(32)を通過させ、通過した後のレーザビーム(LBf)を光電変換素子(12)によってモニタして光量を制御することを特徴とする半導体レーザの光量制御方法。

IPC (2)：

H01S 3/096 ,  H01S 3/13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092786   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭57-154659
  
• 特開平1-220141
  
• 特開昭56-007250