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J-GLOBAL ID：200903070285397069

半導体発光素子および発光デバイス

Inventor： 永田 久雄 ,  田中 修平
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 松永 孝義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050740
Publication number (International publication number)：1994268251
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 安価で大面積なアモルファス基板上に、アライメントが容易で、LEDの発光点の間隔が従来の約半分の半導体発光素子を提供する。【構成】 アモルファス基板1の両面に結晶成長法を用いて作製した多結晶の化合物半導体3、4内にpn接合を形成する。これをメサ構造としてLED20をアレイ状にし、石英ガラス基板1両側でメサ構造のpn接合に電流を注入して発光させる。

Claim (excerpt)：

半導体材料がエピタキシャル成長が生じない基板の両面に形成された多結晶体もしくは多結晶膜であって、それぞれの多結晶体もしくは多結晶膜内に少なくともpn接合、pin接合を有し、p型半導体およびn型半導体にそれぞれ設けた電極間に電流を流してpn接合、pin接合で発光させることを特徴とする半導体発光素子。