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J-GLOBAL ID：200903070287679223

半導体微粒子分散膜の製造方法

Inventor： 小林 哲 ,  島崎 広美
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231694
Publication number (International publication number)：1993074720
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体微粒子分散系において、マトリックス中の半導体微粒子のサイズのばらつき、結晶欠陥準位、界面準位等の局在準位を減少させ、量子井戸効果の高い半導体微粒子分散系を得ようとする製造方法。【構成】絶縁体をマトリックスとし、該マトリックスとその中に分散される半導体微粒子が3次元量子井戸を形成する半導体微粒子分散膜の製造法であって、該マトリックス及び該半導体微粒子がプラズマ化学気相成長法によって交互堆積されたアモルファスシリコン及びアモルファス窒化シリコンであることを特徴とする半導体微粒子分散膜の製造法。

Claim (excerpt)：

絶縁体をマトリックスとし、該マトリックスとその中に分散される半導体微粒子が3次元量子井戸を形成する半導体微粒子分散膜の製造方法であって、該マトリックス及び該半導体微粒子がプラズマ化学気相成長法によって交互堆積されたアモルファスシリコン及びアモルファス窒化シリコンであることを特徴とする半導体微粒子分散膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C30B 30/00 ,  H01L 21/31