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J-GLOBAL ID：200903070297395991
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993263749
Publication number (International publication number)：1995122754
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタのOFF状態でのリーク電流の増大を招くことなくゲート電極をできるだけ小さくすることができ、表示画質向上等に寄与し得る液晶表示装置を提供すること。【構成】 透明基板27上にゲート電極14,ゲート絶縁膜15,半導体層16及びソース・ドレイン電極を積層して複数のTFTが形成されたアレイ24と、このアレイ基板24に対向配置され該対向面にTFTを覆うように遮光層29が形成された対向基板25とを具備した液晶表示装置において、TFTのチャネル領域32をゲート電極14と自己整合的に形成し、ゲート電極14の輪郭線とドレイン電極の輪郭線との交点からゲート電極14の輪郭線とソース電極の輪郭線との交点に至る最短距離を、ゲート電極14から遮光層29まで最短距離の4倍以上に設定したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
透明基板上にゲート電極,ゲート絶縁膜,半導体層及びソース・ドレイン電極を積層して複数の薄膜トランジスタが形成された第1の基板と、この第1の基板に対向配置され該対向面に前記薄膜トランジスタを覆うように遮光層が形成された第2の基板とを具備してなり、前記薄膜トランジスタのチャネル又はソース・ドレイン電極は、前記ゲート電極と自己整合的に形成され、前記ゲート電極の輪郭線と前記ドレイン電極の輪郭線との交点から前記ゲート電極の輪郭線と前記ソース電極の輪郭線との交点に至る最短距離は、前記ゲート電極から前記遮光層までの最短距離の4倍以上に設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/786
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
