半導体集積回路装置およびそれを用いたコンピュータシステム、ならびに半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995289613
Publication number (International publication number)：1997135030
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】完全空乏化トランジスタを用いて高速化と低電力を両立させ、かつ部分空乏化トランジスタを用いて耐圧が確保できる半導体集積回路装置の製造技術を提供する。【解決手段】 SOI基板上に所定の集積回路が作製される半導体集積回路装置であって、イオン打ち込みの条件を変えて打ち分けることで、左側のMOSトランジスタはチャネル領域のドーパント濃度が低いため、領域全体が空乏化している完全空乏化トランジスタ28となり、右側のMOSトランジスタは、チャネル領域にドーパント濃度が高い領域を有するため、チャネル領域は部分的にしか空乏化しない部分空乏化トランジスタ29となり、これにより完全空乏化トランジスタ28と部分空乏化トランジスタ29とが、不純物濃度を異なるようにして同一のSOI基板10上に形成されている。

Claim (excerpt)：

SOI基板上に所定の集積回路が作製される半導体集積回路装置であって、前記集積回路のうち、高耐圧が必要な回路は部分空乏化トランジスタを用いて構成し、かつ低電力・高速化が必要な回路は完全空乏化トランジスタを用いて構成することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/12

FI (7)：

H01L 29/78 613 Z , H01L 27/12 Z , H01L 21/265 P , H01L 21/265 A , H01L 27/10 671 C , H01L 27/10 681 F , H01L 29/78 618 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

液晶画像表示装置及び半導体光学部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-219558 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071806 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-367278

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