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J-GLOBAL ID：200903070303129875

結晶軸の面内回転高臨界電流超伝導配線

Inventor： 向田 昌志 ,  松本 要 ,  吉田 隆 ,  一瀬 中 ,  堀井 滋
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003308021
Publication number (International publication number)：2005079351
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】 超電導膜中に電流通電方向に沿って存在する人工ピン止めセンターが導入され、ゼロ抵抗においてより大きな電流密度の電流を流すことができる超伝導配線の提供。【解決手段】 基板と、基板上に設けられ、LnBa2Cu3Ox(式中、Lnは、Yあるいはランタニド元素の中で左記構造が超伝導体となる元素を表し、6.5<x<7.1である)なる組成を有して電流を流す超伝導膜とを含み、超伝導膜は、c軸が基板表面に垂直に配向しており、かつ第1の面内配向を有する第1配向部分と、c軸が基板表面に垂直に配向しており、かつ第1の面内配向とは異なる第2の面内配向を有する第2配向部分とを有し、第2配向部分は、電流の流れる方向に沿って延在する複数の部分から構成され、該複数の部分の側面は基板に対して垂直であることを特徴とする超伝導配線。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、 基板上に設けられ、LnBa2Cu3Ox(式中、Lnは、Yあるいはランタニド元素の中で左記構造が超伝導体となる元素を表し、6.5<x<7.1である)なる組成を有して電流を流す超伝導膜と を含み、 前記超伝導膜は、c軸が基板表面に垂直に配向しており、かつ第1の面内配向を有する第1配向部分と、c軸が基板表面に垂直に配向しており、かつ第1の面内配向とは異なる第2の面内配向を有する第2配向部分とを有し、 前記第2配向部分は、前記電流の流れる方向に沿って延在する複数の部分から構成され、該複数の部分の側面は前記基板に対して垂直であることを特徴とする超伝導配線。

IPC (4)：

H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  H01L39/06

FI (4)：

H01L39/24 B ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  H01L39/06

F-Term (27)：

4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA14 ,  4M113BA15 ,  4M113BA21 ,  4M113CA31 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36 ,  5G321AA03 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321CA04 ,  5G321CA13 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB35 ,  5G321DB36 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39 ,  5G321DB40 ,  5G321DB41