Pat

J-GLOBAL ID：200903070314779979

非単結晶薄膜のレーザーアニール方法

Inventor： 前川 茂樹 ,  吉岡 達男 ,  小林 郁典
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998129365
Publication number (International publication number)：1999330000
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 パルスレーザービームの強度ムラに起因して結晶化薄膜の結晶性ムラが生じて、この結晶化薄膜を用いて作製する素子の均一性及び歩留まりの向上が困難であった。【解決手段】 基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレーザービームを走査させて重畳照射することにより結晶化する方法であって、前記パルスレーザービームの長軸方向とその走査方向とのなす角度αを5〜85度にして照射して結晶化させる。

Claim (excerpt)：

基板上の非単結晶薄膜に対してパルスレーザービームを走査させて照射して結晶化するに際し、パルスレーザービームを前記走査の方向に対して長軸方向を傾けて照射する非単結晶薄膜のレーザーアニール方法。

IPC (2)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/20