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J-GLOBAL ID：200903070319631643

多孔質珪素部材の作製方法

Inventor： 井上 亨
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102203
Publication number (International publication number)：1993275398
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】シリコン基板の導電型や抵抗に依存することのない、半導体分野への応用が可能な多孔質シリコン部材の作製方法を提供する。【構成】主にp型の単結晶シリコン基板3の裏面に均一な電極4を設け、該電極に陽極電位を印加し、別にハロゲン系元素を含んだ反応ガス9をプラズマ状態とし、電離発生するハロゲン元素イオン10を基板に電圧を加えることで基板方向へ引き寄せシリコン基板表面に微細孔エッチングを施す。また、プラズマからの発光により光を基板表面に照射して、その効果により正孔を供給できない所謂n型シリコン基板に対してもp型と同等の微細孔エッチングを施す。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板より離れた位置でハロゲン元素を含んだプラズマを形成し、同時に前記単結晶シリコン基板に陽極電位を印加することによって前記プラズマよりハロゲン元素イオンを基板方向へ引き寄せ、前記基板表面にnmオーダーの直径もしくは間隔で微細孔を形成することを特徴とする多孔質珪素部材の作製方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭54-101273
  
• 特開平4-048928
  
• 特開平1-307225