高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003020843
Publication number (International publication number)：2004149754
Application date： Jan. 29, 2003
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、特にラインエッジラフネスが小さく、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)または(2)で示される共重合による繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物、およびこれをベース樹脂として配合したポジ型レジスト材料。【化52】【化53】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。

IPC (7)：

C08F232/08 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F224/00 , C08F234/04 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (7)：

C08F232/08 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F224/00 , C08F234/04 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (94)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AC02S , 4J100AC22S , 4J100AC26S , 4J100AD07S , 4J100AE35S , 4J100AG33S , 4J100AG36S , 4J100AK32R , 4J100AL34S , 4J100AL44S , 4J100AL46S , 4J100AM03S , 4J100AM08S , 4J100AM43R , 4J100AM45R , 4J100AM47R , 4J100AM48R , 4J100AM49R , 4J100AP01S , 4J100AQ01S , 4J100AR09Q , 4J100AR10P , 4J100AR11Q , 4J100AR31R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA02S , 4J100BA03P , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA05P , 4J100BA05Q , 4J100BA05S , 4J100BA06P , 4J100BA06Q , 4J100BA06S , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA15S , 4J100BA55S , 4J100BB17S , 4J100BB18S , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC03R , 4J100BC03S , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC04S , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC07S , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC08S , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC09S , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100BC12S , 4J100BC22P , 4J100BC22Q , 4J100BC23P , 4J100BC23Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC43S , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-325907 Applicant：信越化学工業株式会社
インデン含有重合体の製造方法並びにこの製造法より得られる重合体を用いた成形材、フィルムまたは添加剤及び光学用部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-272684 Applicant：日立化成工業株式会社
特開平4-249509

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