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J-GLOBAL ID：200903070326727443

誘電体薄膜素子

Inventor： 中村 孝則 ,  安藤 陽 ,  橘高 敏彦 ,  伴野 国三郎
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 西澤 均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993199227
Publication number (International publication number)：1995037754
Application date： Jul. 16, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 誘電体薄膜の製造工程において複雑な組成制御を行う必要がなく、製造が容易で、誘電率の高い誘電体薄膜素子を提供する。【構成】 シリコン基板1上に酸化シリコン(SiO2)膜2、金属チタン(Ti)膜3、白金(Pt)膜4を順次形成した構造を有する下部電極6上に、主成分が酸化チタン(TiO2)であり、該酸化チタンは少なくともその一部が結晶化しているとともに、該結晶化した部分がルチル型の結晶構造を有する誘電体薄膜5を形成し、さらに、誘電体薄膜5上に上部電極7を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極、誘電体薄膜、及び上部電極を形成してなる誘電体薄膜素子であって、前記下部電極は、基板上に拡散防止膜、電極を順次形成した構造を有しているとともに、前記誘電体薄膜は酸化チタン(TiO2)を主成分とし、かつ、該酸化チタンは少なくともその一部が結晶化しているとともに、該結晶化した部分がルチル型の結晶構造を有していることを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (3)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 427

FI (2)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-247904
  
• 薄膜コンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-307920   Applicant：株式会社東芝