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J-GLOBAL ID：200903070329412257

低シリカフォージャサイト型ゼオライトおよびその製造方法

Inventor： 船越 肇 ,  白倉 義法
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998164375
Publication number (International publication number)：1999343113
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高純度な低シリカフォージャサイト型ゼオライト(LSXと略す)を大規模で短時間に製造する方法を提供する。【解決手段】X線回折法にてフォージャサイト単相であり、SiO2/Al2O3モル比が1.9〜2.1であり、Na型のときの水分吸着量が35.0%以上であり、一次粒子径が1.0μm以上10.0μm未満のLSX、及び、アルミネートを含む溶液とシリケートを含む溶液を混合し、ゲル化後熟成、結晶化を行って、SiO2/Al2O3モル比が1.9〜2.1のLSXの製造法において、あらかじめ10°C以上60°C以下の温度で10分以上3時間以内の熟成を行った10〜20Na2O・Al2O3・5〜20SiO2・100〜250H2Oの組成の溶液を、生成するLSXに対しAl2O3基準で0.001%以上0.03%未満ゲル化後あるいは熟成の初期に加えるか、または、0.01%以上10.0%以下ゲル化前に加えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

X線回折法においてフォージャサイト単相であり、SiO2/Al2O3モル比が1.9〜2.1であり、Na型としたときの水分吸着量が35.0%以上であり、かつ、一次粒子径が1.0μm以上10.0μm未満であることを特徴とする低シリカフォージャサイト型ゼオライト。

IPC (3)：

C01B 39/20 ,  B01D 53/02 ,  B01J 20/18

FI (3)：

C01B 39/20 ,  B01D 53/02 Z ,  B01J 20/18 D