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J-GLOBAL ID：200903070330129984
共振器型半導体光装置及びその製法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263023
Publication number (International publication number)：1993075207
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体発光層と、それを挟むように相対向している第1及び第2の反射膜と、上記半導体発光層と上記第1及び第2の反射膜のそれぞれとの間に配されている第1及び第2の半導体層とを有し、上記半導体発光層から励起用光または励起用電流の供給により得られる自然放出光がレーザモードに結合することによってレーザ光が得られる共振器型半導体光装置において、上記半導体発光層から得られる自然放出光がレーザモードに結合する効率を高め、励起用光まはた励起用電流に大きな値を必要としないようにする。【構成】 上記共振器型半導体光装置において、上記第1及び第2の反射膜のいずれか一方または双方が、上記半導体発光層に対して外方に膨出している弯曲部を有する。
Claim (excerpt)：
半導体発光層と、それを挟むように相対向している第1及び第2の反射膜と、上記半導体発光層と上記第1及び第2の反射膜のそれぞれとの間に配されている第1及び第2の半導体層とを有する共振器型半導体光装置において、上記第1及び第2の反射膜のいずれか一方または双方が、上記半導体発光層に対して外方に膨出している弯曲部を有することを特徴とする共振器型半導体光装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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