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J-GLOBAL ID：200903070331702289

半導体装置の製造方法

Inventor： 犬塚 肇
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190389
Publication number (International publication number)：1993036669
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 発光強度に悪影響を及ぼすことのない半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 p型単結晶シリコン基板1を陽極化成処理して多孔質シリコンを形成し、さらに、この単結晶シリコン基板1を濃度5%のフッ酸に5分間浸漬して多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去する。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンを陽極化成処理して多孔質シリコンを形成する第1工程と、多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去する第2工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭48-102986
  
• 特開昭59-039045