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J-GLOBAL ID：200903070350416289

金属原子をドープした炭素クラスター化合物の新規製造法

Inventor： 森山 廣思 ,  小林 速男
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030961
Publication number (International publication number)：1994321686
Application date： Feb. 02, 1994
Publication date： Nov. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】金属有機酸塩と炭素クラスターをそれぞれ可溶性有機溶媒中に溶解し、二液を合せて激しく攪拌若しくは超音波照射により激しく混合するか、二液を接触させた状態で静置拡散させるか、又は電解結晶成長法により当該化合物の単結晶を析出させることを特徴とする、金属原子をドープした炭素クラスター化合物の製造方法。【効果】本方法はスケールアップが可能であり、半導体材料や伝導材料ないしは超伝導材料として期待される金属ドープ炭素クラスター化合物の大量製造にも適した画期的製造方法といえる。従来法では不均質な材料しか得られていない点をみても、高品位で均質な金属ドープ炭素クラスター化合物が得られる本製造方法はきわめて優れた方法であり、また生産性の向上やプロセスのコストダウンが可能となるため、工業的かつ実用的価値の大なるものである。

Claim (excerpt)：

金属有機酸塩と炭素クラスターをそれぞれ可溶性有機溶媒中に溶解し、二液を合せて不活性ガス気流下で激しく攪拌混合するか、又は超音波照射により激しく混合することによって当該化合物の微細単結晶を析出させることを特徴とする、金属原子をドープした炭素クラスター化合物の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/02 ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/30 ,  C01G 1/00