Pat

J-GLOBAL ID：200903070357908918

炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997350329
Publication number (International publication number)：1999186256
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】大きなチャネル移動度の得られる炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】予め水素または水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で800〜1200°Cに5分間以上加熱する前処理をおこなった後、熱酸化により酸化けい素膜を形成する。微量の塩酸ガスを加えるとなお良い。

Claim (excerpt)：

炭化けい素を酸化雰囲気中で加熱して表面に酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、予め水素雰囲気中で加熱する前処理をおこなった後、熱酸化膜を形成することを特徴とする炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G