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J-GLOBAL ID:200903070391475540

高分子担持二元金属クラスター触媒

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 下田 昭 ,  赤尾 謙一郎 ,  小山 尚人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007262967
Publication number (International publication number):2009090204
Application date: Oct. 09, 2007
Publication date: Apr. 30, 2009
Summary:
【課題】 回収可能な高分子担持触媒及びこの触媒を用いてアルコールを酸化してカルボニル化合物を製造する方法を提供する。従来の金クラスター触媒(特許文献1等)はをアルコールを酸化する際に、炭酸カリウム(K2CO3)等の塩基を必要とした。 【解決手段】 金及び遷移金属を架橋されたポリスチレン誘導体に担持した二元金属クラスター触媒は、塩基が不要の条件下で、室温及び常圧条件におけるアルコールの酸素酸化反応において高い活性と選択性を示す。 【選択図】 なし
Claim (excerpt):
金及び遷移金属から成るクラスターがスチレン系高分子に担持して成る触媒であって、該スチレン系高分子が、スチレンモノマーをベースとし、その主鎖又はベンゼン環が水酸基又はアルコキシ基を有する親水性側鎖を有する高分子担持二元金属クラスター触媒。
IPC (18):
B01J 31/28 ,  C07C 45/39 ,  C07C 49/78 ,  C07C 45/38 ,  C07C 47/54 ,  C07C 47/542 ,  C07C 47/575 ,  C07C 47/55 ,  C07C 49/788 ,  C07C 47/546 ,  C07C 49/213 ,  C07C 49/10 ,  C07C 49/395 ,  C07C 47/232 ,  C07D 213/50 ,  C07D 333/22 ,  C08F 212/14 ,  C08F 212/08
FI (18):
B01J31/28 Z ,  C07C45/39 ,  C07C49/78 ,  C07C45/38 ,  C07C47/54 ,  C07C47/542 ,  C07C47/575 ,  C07C47/55 ,  C07C49/788 ,  C07C47/546 ,  C07C49/213 ,  C07C49/10 ,  C07C49/395 ,  C07C47/232 ,  C07D213/50 ,  C07D333/22 ,  C08F212/14 ,  C08F212/08
F-Term (59):
4C023DA02 ,  4C055AA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA18 ,  4C055BB01 ,  4C055BB02 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055FA11 ,  4C055FA34 ,  4G169AA01 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA28A ,  4G169BA28B ,  4G169BC29A ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC68B ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BC74B ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BE05A ,  4G169BE05B ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4G169CB19 ,  4G169CB72 ,  4G169EA01Y ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB09 ,  4G169FB29 ,  4G169FC08 ,  4H006AA02 ,  4H006AC44 ,  4H006AC45 ,  4H006BA05 ,  4H006BA25 ,  4H006BA26 ,  4H006BA45 ,  4H006BA81 ,  4H006BE30 ,  4H039CA62 ,  4H039CC20 ,  4J100AB02P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA06R ,  4J100BC54Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)

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