半導体装置のエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992167847
Publication number (International publication number)：1994013357
Application date： Jun. 25, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【構成】強誘電体であるPZT、PLZTや電極材料であるPt、Ti等のエッチング工程において、次のいずれかの工程を含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。(1)イオンミリングで処理した後、アルゴンプラズマで等方性エッチングする。(2)イオンミリングで処理した後、アルゴンとハロゲン系反応性ガスのプラズマで等方性エッチングする。【効果】従来方法での異方性の強い物理的なエッチング方法であるイオンミリング装置によるエッチングで発生する被エッチング体のレジスト側壁への再付着を防止できる。これにより、側壁付着物の残留に起因する層間絶縁膜のカバレッジの問題や、さらに前記層間絶縁膜上の配線層の断線、ショート等の発生もなくすことができる。また、寸法変換差及び形状再現性の良いエッチング形状を得ることもできる。強誘電体メモリ等の製造に有効である。

Claim (excerpt)：

強誘電体薄膜、高誘電率膜及びその電極のうちいずれかの材料のエッチング方法において、イオンミリングで処理する工程とアルゴンプラズマでエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 , H01L 21/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭57-114236
特開平3-019372
特開昭63-173331

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