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J-GLOBAL ID：200903070399575358

超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法およびその装置

Inventor： 木戸 照雄 ,  康 倫明
Applicant, Patent owner： ダイキン工業株式会社
Agent (1)： 津川 友士
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993057461
Publication number (International publication number)：1994275872
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 極低温雰囲気中への外部熱侵入の増加を防止し、しかも磁束トラップの除去を確実化する。【構成】 SQUID素子を収容する極低温ケーシング1の内部において、SQUID素子の少なくとも一部を加熱するヒータ6をフィードバックコイル5と並列接続する。

Claim (excerpt)：

ジョセフソン接合(3)を有する超伝導ループ(2)、超伝導ループ(2)に磁束を導くインプットコイル(4)およびインプットコイル(4)により超伝導ループ(2)に導かれる磁束の変化を補償すべく補償用磁束を超伝導ループ(2)に導くフィードバックコイル(5)を含む超伝導量子干渉素子が、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシング(1)内に収容されてあり、超伝導量子干渉素子を加熱して常伝導状態に転移させるヒータ(6)が極低温ケーシング(1)内においてフィードバックコイル(5)と直列接続されてあることを特徴とする超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去装置。

IPC (2)：

H01L 39/04 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA