Pat
J-GLOBAL ID:200903070402656917

単結晶の酸素濃度予測方法及び単結晶の引上方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992347187
Publication number (International publication number):1993262593
Application date: Dec. 25, 1992
Publication date: Oct. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】結晶成長中に結晶中の酸素濃度を予測する。インゴット全長に亘る酸素濃度の予測を可能とし、評価の時間短縮を図る。この酸素濃度予測方法を基に、酸素濃度予測値を引上パラメータにフィードバックすることによって、結晶中酸素濃度の精度よい制御を行う。【構成】CZ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ中のルツボ回転数、融液レベル、結晶固化率及び融液表面温度を測定し、これらの値からモデル式によって引上げ単結晶中の酸素濃度を求める。
Claim (excerpt):
CZ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ中のルツボ回転数、融液レベル、結晶固化率の操業条件と、融液表面温度との関係を用いて、引上げ時に測定した実際の融液表面温度から、引上げ単結晶中の酸素濃度を高精度に求めることを特徴とする単結晶の酸素濃度予測方法。
IPC (2):
C30B 15/00 ,  C30B 15/20

Return to Previous Page