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J-GLOBAL ID：200903070405218376
化学的気相合成法による硬質炭素質薄膜の形成方法及びその装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内山 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992301827
Publication number (International publication number)：1994128747
Application date： Oct. 14, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：
【要約】【構成】放電用固定電極板を多数対向させて配置して成る反応室において、それぞれの電極板間に大口径基板を配置したのち、該反応室に炭素源ガス及び不活性ガスを供給し、減圧下に該放電用固定電極板の両面にプラズマを発生させ、複数枚の大口径基板の両面に硬質炭素質薄膜を同時に形成させる方法、及びこの方法を実施するための化学的気相合成装置である。【効果】化学的気相合成法により、複数枚の大口径基板の両面に硬質炭素質薄膜を同時に形成させることができる。
Claim (excerpt)：
放電用固定電極板を多数対向させて配置して成る反応室において、それぞれの電極板間に大口径平板からなる基板を1個ずつ配置したのち、該反応室に炭素源ガス及び不活性ガスを供給し、減圧下に該放電用固定電極板の両面にプラズマを発生させ、複数枚の大口径基板の両面に硬質炭素質薄膜を同時に形成させることを特徴とする化学的気相合成法による硬質炭素質薄膜の形成方法。
IPC (2)：
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