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J-GLOBAL ID：200903070406104579

薄膜成長装置

Inventor： 吉川 俊英 ,  田中 均 ,  落水 洋聡
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174001
Publication number (International publication number)：1994020964
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 有機金属原料を用いる薄膜成長装置に関し、原料を大量に安定して供給して薄膜を再現性よく成長する薄膜成長装置を成長する。【構成】 液体または固体であるTBP等の有機金属原料を収容する有機金属シリンダ6と、この有機金属シリンダ6から有機金属原料をその蒸気圧によって反応炉に供給する手段と、この有機金属原料の供給量を制御するマスフローコントローラ10と、このマスフローコントローラ10の一次側に設けられた圧力計9とを具えるよう構成し、圧力計9の指示値が所定の値になるように、有機金属シリンダ6の加熱装置あるいは超音波発振装置の供給電力をフィードバック制御する。また、マスフローコントローラ10の一次側にパージライン3を設け、成長終了時あるいは有機金属原料を交換する場合のパージを完全にする。

Claim (excerpt)：

液体または固体である有機金属原料を収容する有機金属シリンダと、該有機金属原料を所定の温度に保つための加熱装置と、該有機金属シリンダから該有機金属原料をその蒸気圧によって反応炉に供給する手段と、該有機金属原料の供給量を制御するマスフローコントローラと、該マスフローコントローラの一次側に設けられた圧力計とを具えることを特徴とする薄膜成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31