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J-GLOBAL ID：200903070416397418

半導体レーザ,及びその製造方法

Inventor： 吉田 保明 ,  武本 彰
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055530
Publication number (International publication number)：1995263798
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 自励発振を高い光出力まで持続でき、歩留りよく製造できる半導体レーザを得る。【構成】 DH構造よりなる活性層3の、活性領域10の厚さを、電流注入のない可飽和吸収領域11の厚さより薄くし、これにより該活性領域11の垂直方向の光の閉じ込め係数を、可飽和吸収領域11のそれより小さくし、可飽和吸収領域11の働きを高めた。【効果】 活性領域10の幅W,及び上クラッド層4の残し厚dの許容範囲が広くなり、自励発振を高い光出力まで持続できる半導体レーザを、歩留り良く得られる。

Claim (excerpt)：

活性層と、この活性層を挟むクラッド層とを含み、上記活性層に電流を注入する領域を規定する電流注入手段を有する半導体層を備え、上記活性層の、電流注入が行われる電流注入領域の垂直方向の光閉じ込め係数が、電流注入のない可飽和吸収領域の垂直方向の光閉じ込め係数より小さいことを特徴とする半導体レーザ。