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J-GLOBAL ID：200903070420397538
集積型SPMセンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273065
Publication number (International publication number)：1996114607
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 カンチレバー部内での暗電流の発生を防止し、検出感度の高い電流変換検出素子を備えた集積型SPMセンサを提供する。【構成】 支持部2から延びたN型シリコン基板からなるカンチレバー1の先端部に探針3を設け、該探針3の表面及びその周辺部にP型シリコン層5を形成し、該P型シリコン層5をP+ 型シリコン層6を介して電極8に接続する。またP型シリコン層5の端部より離してN+ 型シリコン層7を形成し、該N+ 型シリコン層7を電極9に接続する。そしてカンチレバー1の端面及び裏面側の表面に高濃度拡散層14を一体的に形成して、集積型SPMセンサを構成する。
Claim (excerpt)：
自由端に探針部を有する半導体からなるカンチレバー部と、該カンチレバー部の基端部を支持する支持部と、前記カンチレバー部に設けられた電流変換検出素子とを備えた集積型SPMセンサにおいて、前記カンチレバー部の少なくとも端面部表面に高濃度拡散層を形成したことを特徴とする集積型SPMセンサ。
IPC (3)：
G01N 37/00
, G01B 7/34
, H01J 37/28
