ガスセンサ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999096273
Publication number (International publication number)：2000292397
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】ガス選択層の厚みを余り大きくしないようにし、容量を小さくして電池駆動を可能とする。【解決手段】ガスに対する選択性を高めるには、触媒濃度を高くするか膜厚を厚くしなければならなかったが、この発明のように選択燃焼層の膜厚と触媒濃度との積に着目すると、例えば20μmwt%以上ではメタン感度が水素感度を上回ることが分かったので、この関係を満たすように構成する。

Claim (excerpt)：

所定の基板上に形成され、可燃性ガスの有無を酸化物半導体の抵抗値の変化を利用して検出するガスセンサであって、ガス検知部を酸化物半導体薄膜と、選択燃焼層厚膜との積層構造とすることを特徴とするガスセンサ。

FI (2)：

G01N 27/12 B , G01N 27/12 C

F-Term (17)：

2G046AA19 , 2G046AA21 , 2G046BA01 , 2G046BA06 , 2G046BA07 , 2G046BA09 , 2G046BE02 , 2G046BE03 , 2G046EA02 , 2G046FB02 , 2G046FC01 , 2G046FC02 , 2G046FE03 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE36 , 2G046FE39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平2-054157
一酸化炭素ガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073950 Applicant：富士電機株式会社
ガスセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048946 Applicant：富士電機株式会社

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