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J-GLOBAL ID：200903070432487176
半導体メモリ用センスアンプ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992216140
Publication number (International publication number)：1994060677
Application date： Aug. 13, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】高速読み出しが可能とされる半導体メモリ用センスアンプを提供することを目的とする。【構成】センスアンプ回路21はメモリセル出力検出回路31、ダミーセル出力検出回路32、センスアンプ出力判定回路33で構成され、メモリセル出力検出回路31にはメモリセルアレー22を構成するEPROMトランジスタQ511 〜Q5mn の選択された1つが接続される第1の負荷トランジスタQ11を備える。またダミーセル出力検出回路32は、ダミーEPROMトランジスタQ5 が接続される第2の負荷トランジスタQ12を備え、第1および第2の負荷トランジスタQ11、Q12のゲート相互をメモリセル出力aに接続することで、カレントミラー回路が構成されるようにする。そして、メモリセル出力aと逆相のダミーセル出力 /aをセンスアンプ出力判定回路33の差動増幅器331 で比較し、センスアンプ出力Oを得る。
Claim (excerpt)：
半導体メモリセルアレーの選択されたメモリセルからの出力が結合される第1の負荷トランジスタを備えたメモリセル出力検出手段と、前記メモリセルアレーを構成するメモリセルと等価のダミーセルが接続された第2の負荷トランジスタを備え、前記ダミーセルと前記メモリセルとの間でカレントミラー回路が構成されるようにしたダミーセル出力検出手段と、前記メモリセル出力検出手段および前記ダミーセル出力検出手段それぞれからの出力が結合されるセンスアンプ出力判定手段とを具備し、前記ダミーセル出力検出手段からは、前記メモリセル出力検出手段から得られるメモリセル出力とは逆相の出力が得られ、前記センスアンプ出力判定手段では、前記ダミーセル検出出力およびメモリセル検出出力の差電圧を増幅出力するようにしたことを特徴とする半導体メモリ用センスアンプ。
IPC (2)：
G11C 16/06
, H01L 27/10 481
