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J-GLOBAL ID：200903070447861171

CVD膜生成方法及び装置

Inventor： 小林 秀夫 ,  野村 久志 ,  三津山 行雄
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038559
Publication number (International publication number)：1993206033
Application date： Jan. 28, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 膜生成初期時及び終了時における生成膜質を定常の膜生成時の膜質と同等の膜質にする。【構成】 キャリアガス2を第1マスフローコントローラ4及び第1バルブ5を介して反応室1に流す第1ライン6と、反応ガス3を第2マスフローコントローラ7及び第2バルブ8を介して反応室1に流す第2ライン9と、反応室1に連通する排気ライン10と、第2マスフローコントローラ7と排気ライン10を連通する第3バルブ11を備えたベントライン12とよりなる。

Claim (excerpt)：

反応室内にキャリアガスと反応ガスを一定流量流し、反応室内を膜生成時圧力に保ち、加熱されたウェーハ上にCVD膜を生成する方法において、膜生成イベントの前イベントで、反応室内にキャリアガスを流し、反応室内を膜生成時圧力に調整し、かつ反応ガスをベントラインに流して膜生成時流量に調節しておき、膜生成イベントでは反応室内に膜生成時流量の反応ガスを流すと同時にキャリアガス流量を反応ガス流量分、減じて反応室内を膜生成時圧力に保ち、反応を終了する場合も同様に反応ガスを停止させると同時にキャリアガス流量を前イベント時の流量に、増大させることを特徴とするCVD膜生成方法。