Pat

J-GLOBAL ID：200903070452667162

結晶試料の形状評価方法および形状評価装置、プログラム

Inventor： 野村 健二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007042653
Publication number (International publication number)：2008203212
Application date： Feb. 22, 2007
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

【課題】 パッケージに封入された結晶試料の形状を非破壊で評価できる技術を提供する。【解決手段】 結晶試料の形状評価方法は、(a)仮想xyz直交座標系を有する空間の、xy面上に結晶試料を配置し、xz面に平行にX線を結晶試料上に照射し、結晶試料の所定結晶面からxz面に平行に回折されるX線を検出するように、X線ソース、X線検出器を配置し、y軸回りのωスキャンを行なって回折X線強度が最大となる角度ωを、結晶試料面内の位置の関数として検出する工程と、(b)回折X線強度が最大となる角度ωを結晶試料のx軸方向に積分し、結晶試料のx軸方向の形状を評価する工程と、を含む。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

(a)仮想xyz直交座標系を有する空間の、xy面上に結晶試料を配置し、xz面に平行にX線を結晶試料上に照射し、前記結晶試料の所定結晶面からxz面に平行に回折されるX線を検出するように、X線ソース、X線検出器を配置し、y軸回りのωスキャンを行なって回折X線強度が最大となる角度ωを、前記結晶試料面内の位置の関数として検出する工程と、 (b)回折X線強度が最大となる角度ωを前記結晶試料のx軸方向に積分し、前記結晶試料のx軸方向の形状を評価する工程と、 を含む結晶試料の形状評価方法。

IPC (2)：

G01N 23/207 ,  G01B 15/04

FI (2)：

G01N23/207 ,  G01B15/04 Z

F-Term (20)：

2F067AA51 ,  2F067CC15 ,  2F067HH04 ,  2F067JJ03 ,  2F067KK09 ,  2F067LL03 ,  2F067NN04 ,  2F067NN09 ,  2F067QQ14 ,  2F067RR19 ,  2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA02 ,  2G001KA08 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  2G001PA12 ,  2G001PA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特許第2964317号公報 LSI等の半導体装置の製造工程においては、表面粗さ計でウエハの表面形状を測定できるが、半導体チップをエポキシモールド等のパッケージに封入した後は、結晶表面に触針を当接することができず、結晶の表面形状を測定することができなくなる。LSIチップをLSIパッケージに封入した後、素子不良が発生する場合がある。原因の1つとして、パッケージングによる応力の発生によって半導体チップが変形する現象がある。しかし、パッケージを除去すると、変形も元に戻る可能性が高い。パッケージされた半導体チップの形状をそのまま測定するニーズが高まっている。
  
• X線試料表面状態評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-266115   Applicant：日本電子株式会社, 日本エツクス線株式会社
• カット面検査装置、及びカット面検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-372764   Applicant：パイオニア株式会社, 株式会社パイオニアエフ・エー
• 特許第2964317号