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J-GLOBAL ID：200903070471580000

レジストパターンの形成方法

Inventor： 上谷 保則
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204790
Publication number (International publication number)：2000035683
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ノボラック/キノンジアジド系のポジ型レジスト組成物から、微細なホールパターンを得るための新たな手法を提供する。【解決手段】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂及びキノンジアジド系感放射線剤を含有するポジ型レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、そこにパターニング露光し、アルカリ現像液で現像した後、パターニング露光の波長より短い波長を有する光を照射し、その後、レジストパターンを膨張させるのに十分な温度で加熱することにより、レジストの除去された部分の面積が縮小されたレジストパターンを形成する方法。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性ノボラック樹脂及びキノンジアジド系感放射線剤を含有するポジ型レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、そこにパターニング露光し、アルカリ現像液で現像した後、該パターニング露光の波長より短い波長を有する光を照射し、その後、レジストパターンを膨張させるのに十分な温度で加熱することを特徴とする、レジストの除去された部分の面積が縮小されたレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/022 601

FI (2)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/022 601

F-Term (27)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB29 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA06 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA13 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096JA04