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J-GLOBAL ID:200903070478072434

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999134588
Publication number (International publication number):2000323597
Application date: May. 14, 1999
Publication date: Nov. 24, 2000
Summary:
【要約】【課題】 ケース内部の合成樹脂の絶縁特性が吸湿によって低下している場合に、放電による半導体素子の破壊の発生を防止する。【解決手段】 平板が対向する電極11は、電極間に合成樹脂であるシリコーンゲル9が接触するように、かつ、半導体素子3の電極からの外部端子用リード線7等における電圧の影響を受けないようにケース6の内部に設置され、この電極11にリード線12を介して接続された測定器(図示せず)は、シリコーンゲル9の誘電率あるいは絶縁抵抗から湿度を測定する。半導体装置の使用者は、測定された湿度より、シリコーンゲル9が吸湿した状態にあると判断される場合には、当該半導体装置の起動を避けるようにする。
Claim (excerpt):
半導体素子が搭載された基板を内包するケースに合成樹脂を注入して密封した半導体装置において、前記合成樹脂の湿度を測定する測定手段を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/02 ,  G01N 21/81 ,  G01N 27/02
FI (3):
H01L 23/02 Z ,  G01N 21/81 ,  G01N 27/02 A
F-Term (13):
2G054AA01 ,  2G054CA18 ,  2G054EA06 ,  2G060AA01 ,  2G060AB02 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060AF11 ,  2G060AG03 ,  2G060BB02 ,  2G060BC01 ,  2G060JA02 ,  2G060KA04

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