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J-GLOBAL ID：200903070479727957

シリコン単結晶の育成方法

Inventor： 渡邉 匡人 ,  江口 実
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237911
Publication number (International publication number)：1994092774
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】結晶中に2x1017から2x1018個/cm3 までの任意の濃度の酸素を含み成長縞の無い均質なSi単結晶を得る。【構成】磁場印加チョクラルスキー法によるSi単結晶育成において、磁石1により結晶成長方向に平行でかつ軸対称な磁場を印加し、さらにX線透視法によりるつぼ9中のSi融液10の対流を観察し、流速が常に7.0mm/sec以下になるように磁場の強度を調節し結晶内の成長縞をなくすと共に結晶内の酸素濃度を制御する。

Claim (excerpt)：

磁場印加チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成方法において、シリコン単結晶の成長方向に平行でかつ軸対称に磁場を印加し磁場の強度を調節して結晶内の成長縞をなくすと共に結晶内の酸素濃度を制御するためにるつぼ中のシリコン融液の対流速度を0〜7.0mm/secに設定することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。

IPC (4)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-027682
  
• 特開昭60-036392
  
• 特開昭63-060192
  
• 特開平2-229786