Pat

J-GLOBAL ID：200903070481596886

チャネル・ホット電子注入により書き込まれたEEPROMセル及びその形成方法

Inventor： スチーヴン・フランク・ガイスラー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996177765
Publication number (International publication number)：1997102593
Application date： Jul. 08, 1996
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 これまでEEPROMメモリ・セルの読取りに必要であった時間と電圧を低減させる。【解決手段】 EEPROMメモリ・セルは、メモリ・セル・トレンチの鋭い縁部を越えて、トレンチ内に延びる浮動ゲート構造を有する。チャネル・ホット電子注入技術をフローティング・ゲート構造と共に使用して、EEPROMセルに必要なプログラミング電圧及び時間が低減される。トレンチ側壁拡散領域及び基板表面の溝を使用してプログラミング時間と電圧のさらに低減が達成される。使用時には、浮動ゲートは、基板の表面と交差する溝の輪郭に従う。

Claim (excerpt)：

主表面と、前記主表面と交差し、側壁を有するトレンチとを有し、前記トレンチとの交差部に鋭い縁部を有する基板と、前記基板の前記主表面と平行にその上を延びる第1部分と、前記鋭い縁部を越えて前記トレンチ内にその前記側壁と平行に延びる第2部分とを有するフローティング・ゲートと、前記フローティング・ゲートの上方にそれと電気的に絶縁して配設された制御ゲートと、前記基板及び前記制御ゲートにバイアスをかけて前記フローティング・ゲート上に電荷を置き、それによってチャネル・ホット電子を利用してメモリ・セルに書込みを行う手段とを備え、バイアスがかかったとき、前記フローティング・ゲート上に電荷を置くのに使用される垂直電界が前記鋭い縁部によって強化されることを特徴とするメモリ・セル。

IPC (4)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371