Pat

J-GLOBAL ID：200903070504506251

半導体圧力センサ

Inventor： 橋本 廣和 ,  橋本 幹夫
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 藤本 博光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993143783
Publication number (International publication number)：1995005060
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 振動等の生じる条件下で精度良く圧力を検出でき、かつ、コストがかからない。【構成】 半導体基板20の下面(一方面側に相当)を凹ませてダイアフラム21が構成され、かつ、該ダイアフラム21の上面側(他方面側に相当)にゲージ抵抗22が設けられたものであって、前記ダイアフラム21の前記下面側は平坦であり、前記ダイアフラム21の上面側には連続する突状部23を残して凹み24が形成され、前記突状部23には、ゲージ抵抗22が半導体基板20の結晶方位に応じた方向に形成されたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方面側を凹ませてダイアフラムが構成され、かつ、該ダイアフラムの他方面側にゲージ抵抗が設けられた半導体圧力センサにおいて、前記ダイアフラムの前記一方面側は平坦であり、前記ダイアフラムの他方面側には半導体基板の結晶方位に応じた方向に連続する突状部を残して凹みが形成され、前記突状部には、ゲージ抵抗が形成されたことを特徴とする半導体圧力センサ。