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J-GLOBAL ID：200903070505463289

高分子電解質膜およびその製造方法

Inventor： フレディー・ヘルマー-メッツマン ,  フランク・オーサン ,  アルノルト・シュネラー ,  ヘルムート・リッター ,  コンスタンティン・レドイェフ ,  ローラント・ノルテ ,  ラルフ・トルヴィルス
Applicant, Patent owner： ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142226
Publication number (International publication number)：1994093114
Application date： Jun. 14, 1993
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高分子固体電解質として使用するのに適し、十分な化学的安定性を有し、適当な溶剤に溶解するポリマーから製造さるイオン導電膜を提供する。【構成】【化1】(ここで、Arはp-および/またはm-結合を有するフェニレン環であり、Ar’はフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、アントリレン、または他の二価の芳香族構成単位であり、X、NおよびMはそれぞれ独立して0または1であり、Yは0、1、2または3であり、Pは1、2、3または4である)で表される芳香族ポリエーテルケトンをスルホン化し、そのスルホン酸を単離して有機溶媒に溶解し、その溶液をフィルムに転化することから成る、スルホン化芳香族ポリエーテルケトンからポリマー電解質膜を製造方法。

Claim (excerpt)：

スルホン化芳香族ポリエーテルケトンから高分子電解質膜を製造する方法であって、下記式(I)【化1】(ここで、Arはp-および/またはm-結合を有するフェニレン環あり、Ar’はフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、アントリレン、または他の二価の芳香族構造単位であり、X、NおよびMはそれぞれ独立して0または1であり、Yは0、1、2または3であり、Pは1、2、3または4である)で表される芳香族ポリエーテルケトンがスルホン化されており;そのスルホン酸が単離されて有機溶媒に溶解し;そしてその溶液がフィルムに転化され;前記方法が、以下の工程:a)スルホン酸中のスルホン基の少なくとも5%をスルホニルクロリド基に転化し、b)前記スルホニルクロリド基を、少なくとも1つの架橋性の置換基またはさらに官能基を含むアミンと反応させ、元のスルホン酸基の5-25%をスルホンアミド基に転化し、c)次いで、未反応のスルホニルクロリド基を加水分解し、得られた芳香族スルホンアミドを単離して有機溶媒に溶解し、溶液をフィルムに加工し、d)前記フィルム中の架橋性の置換基を架橋する、ことから成るもの。

IPC (6)：

C08J 5/18 CEZ ,  C25B 13/08 301 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  C08G 65/48 NQU ,  C08L 71/10 LQP