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J-GLOBAL ID：200903070518535980

クライオスタット

Inventor： 矢澤 孝 ,  門間 茂樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993291773
Publication number (International publication number)：1995142772
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】クエンチ発生時のように磁場が急激に、かつ大きく変動した場合であっても、熱シールド板の変形を防止でき、常に良好な断熱機能を発揮できるクライオスタットを提供する。【構成】内部に真空断熱層を備え、真空断熱層内に冷却源によって冷却されてふく射熱の侵入を阻止する熱シールド板3を配置してなるクライオスタットにおいて、熱シールド板3が、主として熱の伝導に供される層11と、主として機械的強度保持に供される層10との複合構成に形成されている。

Claim (excerpt)：

内部に真空断熱層を備え、上記真空断熱層内に冷却源によって冷却されてふく射熱の侵入を阻止するための熱シールド板を配置してなるクライオスタットにおいて、前記熱シールド板は、主として熱の伝導に供される第1の層と、主として機械的強度保持に供される第2の層との複合構成に形成されてなることを特徴とするクライオスタット。

IPC (3)：

H01L 39/04 ZAA ,  F25B 9/00 ZAA ,  H01F 6/04 ZAA