Pat
J-GLOBAL ID:200903070523613786

細胞融合用の不平等電界チャンバ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  長沼 暉夫 ,  池田 幸弘
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2005513115
Publication number (International publication number):2007520994
Application date: Dec. 01, 2003
Publication date: Aug. 02, 2007
Summary:
生物細胞(10)の融合を実施するための装置が提供され、この装置は、その上に導電性外側電極(18)が支持されたベース部材(24)を含み、外側電極半径(r2)を有し、ある電極高さ(19)を有する。導電性内側電極(20)は、ベース部材(24)上に支持され、内側電極半径(r1)を有し、さらに前記電極高さ(19)を有する。外側電極と内側電極(18、20)は、融合チャンバ(14)を画定するギャップによって互いから離隔されている。内側電極半径(r1)、外側電極半径(r2)及びギャップは、融合チャンバ(14)内において細胞融合を提供するために生物細胞(10)間の圧縮及び細胞膜間の透過性が最大化され、温度上昇が最小化されるように、0.7から0.9の範囲の選択可能な比(r1/r2)の所定の範囲に従って選択され、選択されたギャップは選択可能な比(r1/r2)の前記範囲によって限定され、前記選択可能な比の中から決定された比(r1/r2)は前記選択されたギャップに基づく。
Claim (excerpt):
生物細胞の融合を実施するための装置であって、 第1の電極半径(r1)及びある電極高さを有する内側電極と、 第2の電極半径(r2)及び前記電極高さを有する外側電極と を含み、前記内側電極と前記外側電極とが同心であり、 さらに、前記内側電極と前記外側電極の間に、 そのサイズが、前記第2の電極半径と前記第1の電極半径の差であるギャップを有し、 前記電極高さ、前記ギャップ、前記第1の電極半径(r1)及び前記第2の電極半径(r2)によって細胞融合容積が画定され、 前記第1の電極半径、前記第2の電極半径及び前記ギャップが、前記細胞融合容積内において細胞融合を提供するために生物細胞間の圧縮及び細胞膜間の透過性が最大化され、温度上昇が最小化されるように、前記第1の電極半径と前記第2の電極半径の選択可能な比(r1/r2)の所定の範囲に従って選択され、 選択可能な比の前記範囲が0.7から0.9であり、選択されたギャップが選択可能な比の前記範囲によって限定され、前記選択可能な比の中から決定された比が前記選択されたギャップに基づく、装置。
IPC (3):
C12M 1/42 ,  C12M 1/00 ,  C12M 3/00
FI (3):
C12M1/42 ,  C12M1/00 A ,  C12M3/00 Z
F-Term (6):
4B029AA23 ,  4B029BB01 ,  4B029BB11 ,  4B065AA90X ,  4B065BA08 ,  4B065CA60
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特開昭62-257379
Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-257379
  • 特開昭62-257379

Return to Previous Page