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J-GLOBAL ID：200903070539825503

固体撮像素子

Inventor： 上原 正男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291326
Publication number (International publication number)：1993130517
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スミア現象による偽信号の発生を抑制する。【構成】 光電変換素子と、この光電変換素子にて発生した電荷を転送させる電荷転送素子とが半導体基板主表面に形成された固体撮像素子において、前記電荷転送素子下の半導体層にこの個所で発生した電荷を半導体基板の裏面側に掃き出す手段を設けた。

Claim (excerpt)：

光電変換素子と、この光電変換素子にて発生した電荷を転送させる電荷転送素子とが半導体基板主表面に形成された固体撮像素子において、前記電荷転送素子下の半導体層にこの個所で発生した電荷を半導体基板の裏面側に掃き出す手段を設けたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148