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J-GLOBAL ID：200903070557693010

半導体素子及びその製造方法

Inventor： 金 榮 寛 ,  朴 興 秀 ,  朴 泳 旭 ,  李 相 ▲忍▼ ,  張 允 僖 ,  李 鍾 鎬 ,  崔 城 ▲済▼ ,  李 承 桓 ,  林 載 順 ,  李 周 ▲遠▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000242995
Publication number (International publication number)：2001111000
Application date： Aug. 10, 2000
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン系物質で構成された第1電極と、前記第1電極の表面を親水性化させて誘電体膜の形成を容易にする安定化膜と、反応物を順次供給して形成された前記誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第1電極より仕事関数が大きい第2電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコン系物質で構成された第1電極と、前記第1電極上に反応物を順次供給して形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第1電極より仕事関数が大きい第2電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子。

IPC (8)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/43

FI (7)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/62 G