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J-GLOBAL ID：200903070568931479

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 和泉 良弘
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002096983
Publication number (International publication number)：2003298062
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 チャネル界面に不純物が存在しなく、かつ、チャネル界面における酸化物半導体膜の膜質が良好な、可視光に対して透明となる特性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)を得る。【解決手段】 下地となる基板2上に、上記酸化物半導体膜6が形成される下地膜5、上記酸化物半導体膜6、ゲート絶縁膜7、および、ゲート電極8を、この順に形成する。

Claim (excerpt)：

酸化物半導体膜をチャネル層に用いる薄膜トランジスタにおいて、下地となる基板上に、上記酸化物半導体膜が形成される下地膜、上記酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、および、ゲート電極が、この順に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 E

F-Term (34)：

5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052DA06 ,  5F052DB07 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG41 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110PP02 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10