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J-GLOBAL ID：200903070569530508
低応力接着剤樹脂組成物を用いてなる半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993126020
Publication number (International publication number)：1994333963
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 無溶剤で低温、短時間での効果が可能なことによってダイボンド工程のインライン化を達成でき、大型チップと銅系リードフレームという熱膨脹係数が大きく異なる被接着物にも好適に使用できる高信頼性の低応力接着剤樹脂組成物を用い、耐熱衝撃性にすぐれた半導体装置を提供すること。【構成】 1分子中にヒドロキシフェニル基を2個有し、数平均分子量が500〜4000の変性シリコーンオイルとエポキシ樹脂との反応物からなる可撓化剤、マイクロカプセル化イミダゾール誘導体および/または融点が70°C以上の固形イミダゾール誘導体からなる硬化剤を配合した低応力接着剤樹脂組成物、前記樹脂組成物に、導電性充填剤または絶縁性無機充填剤を配合した低応力接着剤樹脂組成物、前記樹脂組成物にエポキシ樹脂を配合した低応力接着剤樹脂組成物を介して半導体チップとリードフレームとが接着された半導体装置。
Claim (excerpt)：
1分子中にヒドロキシフェニル基を2個有し、数平均分子量が500〜4000の変性シリコーンオイルとエポキシ樹脂との反応物からなる可撓化剤ならびにマイクロカプセル化イミダゾール誘導体および/または融点が70°C以上の固形イミダゾール誘導体からなる硬化剤を配合してなる低応力接着剤樹脂組成物を介して、半導体チップとリードフレームとが接着されてなる半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/52
, C08G 59/20 NHR
