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J-GLOBAL ID:200903070594007143
2次元密着型イメージセンサ及びその駆動方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992081482
Publication number (International publication number):1993167775
Application date: Mar. 04, 1992
Publication date: Jul. 02, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 各受光素子における蓄積時間を適性に制御することでノイズ成分の増加を防止し、イメージセンサの実効的出力範囲を確保して正確な電荷の読み出しができる2次元密着型イメージセンサ及びその駆動方法を提供する。【構成】 バイアス線11に印加するバイアス電圧の印加時間を独立して制御することで受光素子2で発生した電荷の蓄積時間を制御し、またリセット用TFT3を使って蓄積されている電荷を途中キャンセルすることで電荷の蓄積時間を制御し、またバイアスコントロール回路でバイアス電圧の印加時間を制御することで電荷の蓄積時間を制御する2次元密着型イメージセンサ及びその駆動方法。
Claim (excerpt):
主走査方向と副走査方向に2次元のマトリクス状に配置された複数の画素の受光素子と、前記受光素子にそれぞれ接続して前記受光素子で発生した電荷を転送する画素毎の電荷転送用スイッチング素子と、前記電荷転送用スイッチング素子を前記主走査方向毎に共通に動作させるゲートパルスを前記電荷転送用スイッチング素子に供給するゲート線と、前記ゲートパルスを発生させるゲートパルス用シフトレジスタと、前記電荷転送用スイッチング素子に接続して前記受光素子の電荷の転送が為される前記副走査方向毎に共通するデータ線と、前記転送された電荷を読み取って画像信号として出力する駆動用ICとを有する2次元密着型イメージセンサにおいて、前記主走査方向毎に共通して前記受光素子にバイアス電圧を印加するバイアス線と、前記バイアス線に前記バイアス電圧を主走査方向毎に独立して供給するバイアス電圧用シフトレジスタとを設けたことを特徴とする2次元密着型イメージセンサ。
IPC (3):
H04N 1/028
, H04N 1/04
, H04N 5/335
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