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J-GLOBAL ID：200903070599965428

半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法並び に結晶成長方法

Inventor： 本多 正治 ,  浜田 弘喜 ,  庄野 昌幸 ,  廣山 良治 ,  松川 健一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992027951
Publication number (International publication number)：1993063304
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明の目的は、製造工程の簡略化が図れ、信頼性の高い半導体レーザ装置及び端面非注入型半導体レーザ装置を得ることにある。また、この発明の他の目的は、しきい値電流の低減、最高出力、最高発振温度の向上を図ることにある。【構成】 メサ21またはV溝22を有する半導体層5上に、n型とp型の両方のドーパントを同時に用いて結晶を成長させることにより、上記半導体層5の平坦面上にn型の電流狭窄用ブロック層6が、上記メサまたはV溝の傾斜面上にp型の電流通路層7が形成されている。

Claim (excerpt)：

部分的に所定の傾斜面が形成された半導体層上に、n型とp型の両方のドーパントを同時に用いて結晶を成長させることにより、上記半導体層の平坦面上にn型の電流狭窄用ブロック層が、上記傾斜面上にp型の電流通路層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-159783
  
• 特開昭63-056981
  
• 特開平1-239980