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J-GLOBAL ID：200903070625752020

量子素子の製造方法

Inventor： 岡田 健治 ,  照井 康明 ,  安井 十郎 ,  平井 義彦 ,  丹羽 正昭 ,  和田 敦夫 ,  森本 廉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232803
Publication number (International publication number)：1993075094
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 2つの量子細線及び絶縁膜を介してこれらに挾まれた量子ドットよりなる量子素子の製造方法を提供する。【構成】 絶縁膜上に形成された単結晶シリコン基板上に所定の形状にマスクを形成する第1の工程と、シリコン結晶の異方性エッチングを行ない、稜線部を形成する第2の工程と、稜線部シリコンの所定の領域を収束イオンビームによるエッチングにより除去して溝部を形成する第3の工程と、酸化処理を行なう第4の工程よりなる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上に形成された単結晶シリコン基板上のシリコン薄膜上の量子細線の所定の領域を収束イオンビームによるエッチングにより溝を形成する第1の工程と、酸化処理を行なう第2の工程よりなることを特徴とする量子素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66