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J-GLOBAL ID:200903070626987234

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 阿形 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000264529
Publication number (International publication number):2002072480
Application date: Aug. 31, 2000
Publication date: Mar. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】 解像性及び耐エッチング性に優れ、サーマルフロープロセスにより単位温度当りの寸法変化量が小さいレジストパターンを与えることができ、かつ経時安定性の良好なポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)その中に存在するフェノール性水酸基若しくはカルボキシル基の少なくとも一部の水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン系共重合体の少なくとも1種からなる基材樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋性ビニルエーテル化合物、(D)炭素原子と酸素原子と水素原子のみから構成されたカルボン酸及び(E)有機アミンを含有してなるポジ型レジスト組成物とする。
Claim (excerpt):
(A)その中に存在するフェノール性水酸基若しくはカルボキシル基の少なくとも一部の水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン系共重合体の少なくとも1種からなる基材樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋性ジビニルエーテル化合物、(D)炭素原子と酸素原子と水素原子のみから構成された有機カルボン酸及び(E)有機アミンを含有してなるポジ型レジスト組成物。
IPC (10):
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/44 ,  C08F257/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027
FI (10):
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/44 C ,  C08F257/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (53):
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC23 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096LA17 ,  4J002BC121 ,  4J002ED027 ,  4J002EF028 ,  4J002EF048 ,  4J002EF078 ,  4J002EF098 ,  4J002EN019 ,  4J002EN029 ,  4J002EN109 ,  4J002EQ016 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J011PA65 ,  4J011PC02 ,  4J011QA11 ,  4J011UA06 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J026AA20 ,  4J026BA17 ,  4J026DB36 ,  4J026FA05 ,  4J026FA09 ,  4J026GA06 ,  4J026GA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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